半導體器件老化測試是在一定溫度下長時間對元器件持續施加一定的電應力，通過電熱應力的綜合作用，加速元器件內部的各種物理化學反應過程，促使元器件內部隱藏的各種潛在缺陷盡早暴露出來。傳統元器件mos管采用硅材料，一般做簡單的靜態老化，對老化測試設備要求不高，DC高壓電源可以完成。目前，隨著高功率、高頻、對老化測試要求高的氮化鎵等新材料的興起，脈沖高壓電源可以廣泛應用于新材料MOS管的漏電流測試。新材料也是未來材料的發展趨勢。隨著新材料的發展，高壓脈沖電源在該領域的應用將越來越廣泛。電源參數和測試框圖如下：
